磁阻式存储成香饽饽，三星即将实现小规模量产

近日，三星电子宣布，自家的eMRAM(嵌入式磁阻内存)已经进入商业化量产阶段。

MRAM是一种非易失性存储技术，与传统的RAM将电荷状态用做记录数据不同，其原理是利用磁体间的磁化电阻状态（巨磁阻效应）来记录数据。该技术最早是由摩托罗拉在1995年开始尝试研发，在2000年时，IBM和英飞凌也都曾尝试研发，但最终都没有投入商用。

从存储效果来看，由于不需要像NAND Flash一样进行擦除循环操作，MRAM无论是在写入速率、容量密度、能耗还是使用寿命方面，都要远优于市面上的固态硬盘。再加上DRAM内存和NAND Flash固态目前都在工艺制程上遭遇了瓶颈，所以MRAM也一直被视为是两者的潜在替代者。

根据目前三星电子公布的消息来看，三星所研制的是eMRAM技术，也就是嵌入式的磁阻内存。eMRAM相当于是多了一道工序的MRAM，主要可被应用在可穿戴设备、物联网设备中。已有成熟eFlash产线的三星，此次则直接将28nm FD-SOI工艺挪用到了eMRAM中，并实现了量产。

近一年间，DRAM内存和NAND闪存都开始出现严重供大于求的情况，其中NAND的市场均价跌幅甚至超过了50%。所以三星方面积极在存储领域继续寻求新技术，以维持业务利润也在情理之中。

不过按照计划，三星只会在今年内流片容量为128MB的eMRAM存储，所以距离能够真正应用在消费级市场，依然很遥远。

其实，除了MRAM这个方向，在非易失性存储技术商用方面，Intel要领先于三星。目前，Intel已经先后和美光科技联手研制出了PCM（相变化存储器）技术，和升级版的3D XPoint技术。其中，3D XPoint技术已经成功化身Optane（傲腾存储）投入商用。

Optane与eMRAM存储一样，可以作为内存使用、也可作为硬盘使用，目前市面上的Optane容量为16GB~512GB不等，主要面向企业级服务器市场。

就在今年2月，来自外媒的一则消息还显示，Intel也已经准备好将自家的MRAM投入量产，但并没有提及具体的流片时间节点和容量大小。

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作为今日头条青云计划、百家号百+计划获得者，2019百度数码年度作者、百家号科技领域最具人气作者、2019搜狗科技文化作者、2021百家号季度影响力创作者，曾荣获2013搜狐最佳行业媒体人、2015中国新媒体创业大赛北京赛季军、 2015年度光芒体验大奖、2015中国新媒体创业大赛总决赛季军、2018百度动态年度实力红人等诸多大奖。

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