俄罗斯卫星新闻网1月16日报道，俄罗斯远东联邦大学科研工作者奥列格•特列季亚科夫作为俄日美德国际研究团队的一员，发现斯格明子霍尔效应(skyrmion Hall effect)，这使得制造更高速、廉价、可靠、非易失性的电子储存器成为可能。
科学家们的工作成果发布在《自然•物理学》(Nature physics)杂志上。奥列格•特列季亚科夫称，“斯格明子”可能是未来磁存储技术的基础。
斯格明子的间距可仅为几纳米，与此同时，现代硬盘的磁畴最少为100纳米。此外，以斯格明子为基础的内存甚至可在缺少电源的情况下保存信息。
特列季亚科夫的同事、俄罗斯远东联邦大学的亚历山大•萨马尔达克解释说，现在科学家们已在基于斯格明子研发新的数据储存和处理系统。这样的储存器元件造价更低，并且工作速度更快，更可靠。
未来它们可用于生产电脑、智能手机以及能够长时间工作无需充电的传感器。
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