台积电突破2纳米工艺,有望2024年量产,1纳米制程也已提上日程

电科技杨赛11-18 17:55

在甩开三星之后,台积电作为世界第一芯片代工厂,在新工艺的道路上一路狂奔,7nm工艺全面铺开,5nm工艺一骑绝尘,如今3nm已经箭在弦上,甚至2nm工艺也获得了重大突破。

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据最新报道显示,台积电已经在2nm制程工艺上取得了一项重大的技术突破,虽然报道没有披露详细细节,但据估计,2nm工艺有望在2023年下半年进行试产,量产可能在2024年实现。

台积电方面表示,2nm工艺上的突破将进一步拉大自己与竞对的技术差距,同时摩尔定律也得以延续,台积电将继续加大对1nm工艺的研究。

台积电预计,苹果、英伟达、高通、AMD等客户有望率先采用2nm制程工艺芯片。

据悉,在2nm工艺上,台积电将不得不放弃使用多年的FinFET,也不会采用三星3nm工艺的GAAFET技术,而是转而采用MBCFET,即纳米片。

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CAAFET与MBCFET,从纳米线到纳米片,可以简单当做技术从二维转向三维,能够大大优化电路控制方式,降低漏电能耗。

不过,可以预见的是,新工艺的成本会是一个天文数字,三星在5nm工艺上已经投入的经费超过4.8亿美元,3nm的GAAFET技术更会投入远超5亿美元。

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台积电很少在工艺普及前公布研发投入的费用,不过大家不妨可以尽量去想象一下。

电科技专注于TMT领域报道,青云计划、百+计划获得者。荣获2013搜狐最佳行业自媒体人称号、2015中国新媒体创业大赛总决赛季军、2018百度动态年度实力红人等诸多大奖。

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