英特尔10nm制程晶圆全球首秀 台积电、三星都被秒成渣渣

电科技齐丰润09-19 16:54

今天,英特尔正式公布了其10nm工艺制程技术,并全球首次展示了10nm晶圆,这将是未来Cannon Lake CPU 最基础的部分,并将在今年年底前正式投产10nm制程技术的处理器。

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据英特尔方面介绍,这一代10nm FinFET拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距,实现了业内最高的晶体管密度。英特尔的 10 nm 制程技术能够达到每平方毫米 1 亿晶体数,而台积电为 4800 万,三星为 5160 万。

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同时,英特尔还给出了其10nm制程与台积电、三星的对比,英特尔的 10 nm 制程在鳍片的间距、栅极间距都低于台积电和三星,而且最小金属间距更是大幅领先竞争对手。 

除此之外,相比之前的14nm制程,英特尔10nm制程在性能上做出了25%的提升,而整体功耗则降低了45%,也比于其他业内的10nm制程性能,仍然有着绝对的优势。

英特尔还宣布将进入中国代工市场,为移动和物联网设备的设计公司提供代工,寻找中国市场中巨大的机会。

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作为今日头条青云计划、百家号百+计划获得者,2019百度数码年度作者、百家号科技领域最具人气作者、2019搜狗科技文化作者、2021百家号季度影响力创作者,曾荣获2013搜狐最佳行业媒体人、2015中国新媒体创业大赛北京赛季军、 2015年度光芒体验大奖、2015中国新媒体创业大赛总决赛季军、2018百度动态年度实力红人等诸多大奖。

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